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申请/专利权人：安徽仕净光能科技有限公司
申请日：2024-02-22
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118291948A
主分类号：C23C16/40
分类号：C23C16/40;H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/04;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/505
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及高效太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种氧化铝和氮化硅钝化薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、提供一组镀膜设备，镀膜设备包括装载区、加热装置、分离气路、真空装置、尾排装置及尾气处理装置、TMA源瓶及装卸的线性传输装置；S2、将完成装片的载板通过输送装置输送至可抽真空的工艺腔内。本发明结合ALD氧化铝镀膜与PECVD氮化硅镀膜结合的二合一镀膜方案，ALD镀膜具有较好的致密性，并能够将氧化铝做薄，减少氧化铝电阻对效率影响，同时氧化铝后的升温步可作为氧化铝的退火过程，且镀膜设备连续生产具有产能高、生产工序少、工艺时间短、设备投入成本低及产能耗能低等优点。
主权项：1.一种氧化铝和氮化硅钝化薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供一组镀膜设备，镀膜设备包括装载区、加热装置、分离气路、真空装置、尾排装置及尾气处理装置、TMA源瓶及装卸的线性传输装置；S2、将完成装片的载板通过输送装置输送至可抽真空的工艺腔内；S3、在工艺腔内，ALD镀膜采用TMA和氧气作为特气，高纯氮气携TMA与氧气交替进入腔体进行反应，在硅片表面生成氧化铝镀膜；S4、完成氧化铝镀膜后，抽真空将废气完全排出，并且将腔体内温度升温至450℃；S5、随后在工艺腔内，PECVD镀膜采用硅烷和氨气作为特气，采用射频电源将气体电离为等离子体，通过等离子体激发在硅片表面生成氮化硅薄膜；S6、镀膜完成后抽真空将废气完全排出，随后利用装卸传输装置卸片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽仕净光能科技有限公司 一种氧化铝和氮化硅钝化薄膜的制备方法
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