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申请/专利权人：中航凯迈(上海)红外科技有限公司
摘要：本发明公开一种红外探测器用InSb红外光电芯片的钝化方法，其包括以下步骤：对已制作台面或已注入成结的InSb红外光电芯片进行清洗；对清洗后的InSb红外光电芯片进行腐蚀，去除表面自然氧化层，并冲洗干净、吹干；将处理后的InSb红外光电芯片放入磁控溅射镀膜机真空腔中，抽真空处理；向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氧气，对InSb红外光电芯片表面进行氧等离子体氧化处理；停止向磁控溅射镀膜机真空腔内通入氧气，并对真空腔抽真空处理；向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氩气，在InSb红外光电芯片表面采用磁控溅射方法依次溅射生长第一ZnS膜层、SiO2膜层、第二ZnS膜层。本发明采用的复合膜层结构能够降低薄膜应力对InSb红外光电芯片性能的影响，确保钝化效果。
主权项：1.一种红外探测器用InSb红外光电芯片的钝化方法，其特征是：其包括以下步骤：S1、对已制作台面或已注入成结的InSb红外光电芯片使用清洗剂进行清洗；S2、对步骤S1清洗后的InSb红外光电芯片使用缓冲氢氟酸进行腐蚀，去除表面自然氧化层，并用去离子水冲洗干净，再使用氮气枪吹干；S3、将步骤S2处理后的InSb红外光电芯片放入磁控溅射镀膜机真空腔中，抽真空至压强小于5×10-5Pa；S4、向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氧气，氧气流量为30～60sccm，真空腔内压强维持在1～3Pa，加载反溅射功率200～300W，对磁控溅射镀膜机真空腔中的InSb红外光电芯片表面进行氧等离子体氧化处理，持续时间10～15分钟；S5、停止向磁控溅射镀膜机真空腔内通入氧气，并对真空腔抽真空至压强小于5×10-5Pa；S6、向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氩气，在InSb红外光电芯片表面采用磁控溅射方法溅射生长第一ZnS膜层；S7、向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氩气，在InSb红外光电芯片表面采用磁控溅射方法溅射生长SiO2膜层；S8、向磁控溅射镀膜机真空腔中通入氩气，在InSb红外光电芯片表面采用磁控溅射方法溅射生长第二ZnS膜层。
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权利要求：
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