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申请/专利权人：通用电气公司
申请日：2024-01-02
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118290181A
主分类号：C04B41/88
分类号：C04B41/88;C23C24/08;B22F1/18
优先权：["20230104 US 18/093,110"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：提供了一种修复含硅基底上的缺陷的方法。所述方法可以包括：将粉末混合物施加到含硅基底表面上的现有涂层的缺陷中，其中，所述粉末混合物包含硅和Ge摩尔分数为0.01至0.3的锗；以及在1150℃至1400℃的烧结温度下对缺陷内的粉末混合物进行热处理，在缺陷内形成修复的粘结涂层。还提供了修复的部件，所述修复的部件包括在含硅基底上的缺陷内形成的修复的粘结涂层，其中，所述修复的粘结涂层包含硅‑锗相，所述硅‑锗相包含Ge摩尔分数为0.01至0.3的锗和Si摩尔分数为0.7至0.99的硅。
主权项：1.一种修复含硅基底上的缺陷的方法，所述方法包括：将粉末混合物施加到含硅基底表面上的现有涂层的缺陷中，其中，所述粉末混合物包含硅和锗，所述粉末混合物包含Ge摩尔分数为0.01至0.3的锗；以及在1150℃至1400℃的烧结温度下对缺陷内的粉末混合物进行热处理，在缺陷内形成修复的粘结涂层。
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