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申请/专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日：2023-01-03
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299405A
主分类号：H01L29/417
分类号：H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/43
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本公开提供的晶体管、其制作方法及电子装置，包括衬底基板；第一栅极，位于衬底基板之上；有源层，与第一栅极异层绝缘设置，有源层包括源极区，源极区在衬底基板上的正投影与第一栅极在衬底基板上的正投影相互交叠；源极，与第一栅极异层绝缘设置，源极在衬底基板上的正投影覆盖源极区在衬底基板上的正投影，源极包括异质半导体材料层，异质半导体材料层与源极区的有源层接触设置。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；第一栅极，位于所述衬底基板之上；有源层，与所述第一栅极异层绝缘设置，所述有源层包括源极区，所述源极区在所述衬底基板上的正投影与所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影相互交叠；源极，与所述第一栅极异层绝缘设置，所述源极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述源极区在所述衬底基板上的正投影，所述源极包括异质半导体材料层，所述异质半导体材料层与所述源极区的所述有源层接触设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京京东方技术开发有限公司 京东方科技集团股份有限公司 晶体管、其制作方法及电子装置
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