申请/专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学

申请日：2022-05-08

公开（公告）日：2024-07-02

公开（公告）号：CN114875378B

主分类号：C23C16/30

分类号：C23C16/30;C23C16/02;C12M1/42;C12M1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.02#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要：本发明提出一种竖直结构二硒化钨阵列薄膜结构的细胞筛分装置的制作方法，其通过在定制好的导电基底上溅射一层二氧化钛，利用化学气相沉积法制备竖直生长的二硒化钨薄膜；再将两片导电基底以一定间隔对称固定；其后，利用竖直二硒化钨立体片状的结构优势，结合外部电场使细胞发生的泳动现象，有效地对细胞进行筛选分离。利用本发明方法制备的细胞筛分装置，可对不同种类细胞及同种细胞的不同病理状态进行筛分，无需对细胞进行标记，保证了细胞活性。

主权项：1.一种竖直结构WSe2阵列薄膜结构的细胞筛分装置的制作方法，其特征在于，其通过在定制好的导电基底上溅射一层二氧化钛，利用化学气相沉积法制备竖直生长的二硒化钨薄膜；再将两片导电基底以一定间隔对称固定；其后，利用竖直二硒化钨立体片状的结构优势，结合外部电场使细胞发生的泳动现象，有效地对细胞进行筛选分离；其包括以下步骤：步骤W1，通过磁控溅射方式在导电基底上预溅射一层20nm厚TiO2过渡层，作为生长过渡层；步骤W2，称取150mg三氧化钨和15mg氯化钠粉末，均匀混合后放入石英舟中；将硅片作为导电基底倒扣在粉末上方；步骤W3，将硒粉和石英舟放入管式炉的两个不同温区；首先将管式炉抽至真空状态，真空度为1mTorr以内，然后通入氩气至常规大气压，并保持120sccm流量；步骤W4，将硒粉所在温区分别加热至70℃，同时将石英舟所在温区分别加热至850℃，通入流量为40sccm的氢气，生长5分钟；结束后关闭氢气，等待炉腔降至室温；步骤W5，生长结束后关闭氩气，待炉腔冷却至室温后取出生长好的WSe2样品；步骤W6，将两片样品的竖直结构WSe2层面相对，在两侧通过绝缘材料隔层使两片样品间隔20μm间隙并用夹具固定；绝缘材料隔层为绝缘胶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 重庆大学 一种竖直结构二硒化钨阵列薄膜结构的细胞筛分装置的制备方法

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