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申请/专利权人：北京工业大学
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118281693A
主分类号：H01S5/183
分类号：H01S5/183
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：一种磷化镓透明电流扩展层红光垂直腔面发射激光器属于半导体光电子技术领域。具体结构包括下电极，衬底，下布拉格反射镜，包含有源区的谐振腔，氧化限制层，上布拉格反射镜，P型GaP电流扩展层，钝化层，上电极。其中下布拉格反射镜由低折射率材料和高折射率材料交替生长而成，上布拉格反射镜同样由低折射率材料和高折射率材料交替生长而成，但是对数少于下布拉格反射镜。本发明使用GaP材料作为电流扩展层，来解决传统的红光VCSEL结构使用GaAs或者AlGaAs作为电流扩展层材料出现的问题，以实现更高性能的红光VCSEL芯片。
主权项：1.一种磷化镓透明电流扩展层红光VCSEL芯片，其特征在于，沿器件的垂直剖面来看，包括下电极100，衬底200，下布拉格反射镜300，包含有源区401的谐振腔400，氧化限制层500，上布拉格反射镜600，P型电流扩展层700，钝化层800和上电极900；其中下布拉格反射镜由低折射率材料和高折射率材料交替生长而成，上布拉格反射镜同样由低折射率材料和高折射率材料交替生长而成，但是对数少于下布拉格反射镜，低折射率材料和高折射率材料分别为Al0.95Ga0.05As和Al0.5Ga0.5As。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种磷化镓透明电流扩展层红光垂直腔面发射激光器
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