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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
摘要：一种半导体装置包括具有上表面和沟道的半导体衬底、在所述半导体衬底的所述上表面上方的源极电极和漏极电极、在所述源极电极与所述漏极电极之间的钝化层、在所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极，以及邻近于所述栅极电极的导电场板。所述钝化层包括下部钝化子层和在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层。所述栅极电极包括至少部分地延伸穿过所述钝化层的下部部分。所述导电场板包括延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区。所述导电场板和所述半导体衬底的所述上表面通过所述下部钝化子层的一部分分离。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面和沟道；源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极在所述半导体衬底的所述上表面上方，其中所述源极电极和所述漏极电极电耦合到所述沟道，且所述沟道在所述源极电极与所述漏极电极之间延伸；钝化层，所述钝化层在所述半导体衬底的所述上表面上方且在所述源极电极与所述漏极电极之间，其中所述钝化层包括在所述半导体衬底的所述上表面上方的下部钝化子层，以及在所述下部钝化子层上方的上部钝化子层；栅极电极，所述栅极电极在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述半导体衬底的所述上表面上方，其中所述栅极电极包括延伸穿过所述钝化层的下部部分；以及导电场板，所述导电场板邻近于所述栅极电极，其中所述导电场板包括延伸穿过所述上部钝化子层但不延伸穿过所述下部钝化子层的凹进区，并且其中所述导电场板和所述半导体衬底的所述上表面通过所述下部钝化子层的一部分分离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦美国有限公司 具有凹进场板的半导体装置及其制造方法
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