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申请/专利权人：南京理工大学
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118276232A
主分类号：G02B6/122
分类号：G02B6/122;G02B6/125
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：本发明公开了一种基于硅基多孔超材料波导的片上双模式光交叉器，包括：硅基底、埋藏氧化物层、硅波导层和上包层，其中硅基底在整个结构的底部，埋藏氧化物层生长于硅基底上表面，上包层覆盖了埋藏氧化物层的上表面且包裹住其中的硅波导层，硅波导层由中心正交分布的两个相通直波导组成，在每个直波导中，依次连接输入波导、锥形过渡波导a、多孔超材料波导、锥形过渡波导b和输出波导。本发明通过改变多孔超材料波导中的结构参数，从而使得两种模式在多孔超材料波导中的拍长成整数倍关系，最终实现超紧凑、高性能的双模式光交叉器。
主权项：1.一种基于硅基多孔超材料波导的片上双模式光交叉器，其特征在于，包括：硅基底10、埋藏氧化物层11、硅波导层13和上包层12，其中硅基底10在整个结构的底部，埋藏氧化物层11生长于硅基底10上表面，上包层12覆盖了埋藏氧化物层11的上表面且包裹住其中的硅波导层13；所述硅波导层13由中心正交分布的两个相通直波导组成；每个直波导包括依次连接的输入波导1、锥形过渡波导a2、多孔超材料波导3、锥形过渡波导b4和输出波导5；所述多孔超材料波导3中心沿着光传播方向设置有多孔阵列宽度渐变区a7、多孔阵列宽度恒定区6以及多孔阵列宽度渐变区b8。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京理工大学 基于硅基多孔超材料波导的片上双模式光交叉器
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