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申请/专利权人：湘能华磊光电股份有限公司

摘要：本申请公开了一种提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行生长InGaN阱层、生长GaN‑1垒层、生长GaN‑2垒层、周期性中断Al源生长AlGaN垒层、生长GaN‑3垒层、生长GaN‑4垒层的步骤。本发明通过采用新的量子阱层生长方法来提升量子阱的内量子效率，从而提高LED的光电性能。

主权项：1.一种提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层和降温冷却；其特征在于，其中生长多量子阱层依次包括：生长InGaN阱层、生长GaN-1垒层、生长GaN-2垒层、周期性中断Al源生长AlGaN垒层、生长GaN-3垒层、生长GaN-4垒层，具体步骤为：A、反应腔压力保持不变，升高反应腔温度至T1，通入NH3、TMGa以及TMIn，在温度为T1的条件下生长厚度为3-5nm的InGaN阱层，其中T1的范围在900-950℃之间；B、反应腔压力保持不变，通入NH3、TMGa及N2，在温度为T2的条件下生长1nm的GaN-1垒层，其中T2＝T1；C、反应腔压力保持不变，降低反应腔温度至T3，继续通入NH3、TMGa及N2，在温度为T3的条件下生长1nm的GaN-2垒层，其中T3的范围在700-720℃之间；D、反应腔压力保持不变，通入NH3、TMGa、H2以及TMAl，在温度为T4的条件下周期性中断Al源生长4-6nm的AlGaN垒层，其中T4＝T3，在所述AlGaN垒层的生长过程中，TMAl中断和通入反应腔的时间分别是4s和10s；E、反应腔压力保持不变，通入NH3、TMGa及N2，在温度为T5的条件下生长1nm的GaN-3垒层，其中T5＝T4；F、反应腔压力保持不变，升高反应腔温度至T6，通入NH3、TMGa及N2，在温度为T6的条件下生长1nm的GaN-4垒层，其中T6＝T1；重复上述步骤A-F，周期性依次进行生长InGaN阱层、生长GaN-1垒层、生长GaN-2垒层、周期性中断Al源生长AlGaN垒层、生长GaN-3垒层以及生长GaN-4垒层的步骤，周期数为3-9个。

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