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申请/专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司;南昌实验室
申请日：2024-02-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118258492A
主分类号：G01J3/28
分类号：G01J3/28;H01L31/0352;H01L31/102
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种单pn结多量子阱结构探测器信号处理方法。该方法针对单pn结多量子阱结构探测器，利用该探测器在光照下伏安特性曲线具有台阶或拐点的特性，结合台阶或拐点处的量子效率曲线，对探测器所测的伏安特性曲线进行数学处理，剥离重叠的光串扰信号，倒推出入射光的各波段信息，能够有效实现单色或多色探测。
主权项：1.一种单pn结多量子阱结构探测器信号处理方法，其特征在于，所述单pn结多量子阱结构探测器在光照条件下的伏安特性曲线具有台阶或拐点，所述信号处理方法包括如下步骤：S1：将已知光入射到探测器上，所述已知光的各波段光谱功率密度已知，探测器测量已知光获得具有台阶或拐点的伏安特性曲线1，并通过伏安特性曲线1计算获得每个台阶或拐点处的电压值和光电流值，再测量探测器在每个台阶或拐点处的电压值的量子效率值；S2：将S1中获得的每个台阶或拐点处的光电流值和量子效率值代入光电流和入射光谱功率密度的关系式中，求解出已知光的各波段的光谱功率密度；S3：根据S2中求解出的各波段的光谱功率密度与已知的各波段的光谱功率密度相比较，计算误差；判断是否需要对S2中光电流和入射光谱功率密度的关系式进行修正，若误差在设定值范围内，则无需进行修正，若误差在设定值范围外，则进行修正，得到修正后的光电流和入射光谱功率密度的关系式；S4：将待测光入射到探测器上，探测器测量待测光获得具有台阶或拐点的伏安特性曲线2，并通过伏安特性曲线2计算获得每个台阶或拐点处的光电流值；S5：将伏安特性曲线2计算获得的的每个台阶或拐点处的光电流值代入S3中判断后的光电流和入射光谱功率密度的关系式中进行求解，得到待测光的各波段的光谱功率密度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司;南昌实验室 一种单pn结多量子阱结构探测器信号处理方法
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