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申请/专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日：2021-06-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113488486B
主分类号：H01L27/12
分类号：H01L27/12;H10K59/12
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.08#公开
摘要：本申请涉及一种阵列基板的制造方法及阵列基板，通过在形成有源层的同一道工序中形成为后续工艺提供刻蚀阻挡的阻挡层，二者共同构成半导体层，之后形成覆盖有源层和阻挡层的无机层，以阻挡层作为终点，刻蚀无机层以形成若干凹槽，在无机层远离基底的一侧沉积有机层，以使所述有机层填充所述凹槽的同时覆盖所述无机层；由于有机层可以为阵列基板提供比无机层更低的杨氏模量，从而提升了通过该制造方法制造的阵列基板的柔性化，避免受到应力弯曲时会因为杨氏模量较大而发生断裂。
主权项：1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在基底的一侧形成半导体层；刻蚀所述半导体层，形成间隔设置的有源层和阻挡层；形成无机层，所述无机层覆盖所述有源层和所述阻挡层；以所述阻挡层作为终点，沿朝向所述基底的方向刻蚀无机层以形成若干凹槽的同时以所述有源层作为终点，沿朝向所述基底的方向刻蚀无机层以形成若干通孔；形成第三金属层，以使所述第三金属层填充所述凹槽和所述通孔；刻蚀所述第三金属层，保留通孔中的所述第三金属层以形成导电柱；在所述无机层远离所述基底的一侧沉积有机层，以使所述有机层填充所述凹槽的同时覆盖所述无机层和所述导电柱；其中，所述有机层为平坦化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 阵列基板的制造方法及阵列基板
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