申请/专利权人：无锡安趋电子有限公司

申请日：2021-09-24

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN113965194B

主分类号：H03K19/003

分类号：H03K19/003;H03K19/0185;H02M1/088;H02M1/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.21#公开

摘要：本发明公开了一种具有噪声检测的低延时高压侧驱动电路，在带有V‑I‑V转换电路的高压电平移位电路基础上增设噪声检测电路并对高压电平移位电路和V‑I‑V转换电路进行相应地改进，改进后的V‑I‑V转换电路定义为噪声滤除电路，噪声检测电路将dvsdt噪声转化为电流，通过电流加法器补偿至噪声滤除电路，在电压瞬变噪声dVSdt来临时消除电压瞬变导致的共模噪声信号，避免RS触发器输出不正确的电平，噪声滤除电路的驱动电路能够正确驱动后级的高压侧电路，既保证了低延时输出特性，又不降低芯片的可靠性性能，并且增加了高压侧电路抗VS负偏压的能力。

主权项：1.一种具有噪声检测的低延时高压侧驱动电路，其特征在于：在带有V-I-V转换电路的高压电平移位电路基础上增设噪声检测电路并对高压电平移位电路和V-I-V转换电路进行相应地改进，改进后的V-I-V转换电路定义为噪声滤除电路；噪声检测电路用于将电压瞬变时产生的dVSdt噪声转换为位移电流补偿信号输出给噪声滤除电路；噪声检测电路包括NMOS管MN3、NMOS管MN6、NMOS管MN7、PMOS管MP5、PMOS管MP8、PMOS管MP9、LDMOS管M6以及电阻R8和R11；NMOS管MN3的栅极和源级并连接低侧地GND，NMOS管MN3的漏极连接PMOS管MP5的漏极和LDMOS管M6的源极，LDMOS管M6的栅极连接电源VCC和PMOS管MP5的源极和栅极，LDMOS管M6的漏极连接电阻R11的一端，电阻R11的另一端连接电阻R8的一端、NMOS管MN6的漏极以及PMOS管MP8的漏极和PMOS管MP9的栅极，电阻R8的另一端、PMOS管MP8的源极和栅极以及PMOS管MP9的源极均连接高侧浮动电源VB，PMOS管MP9的漏极连接NMOS管MN7的漏极和栅极并作为补偿信号的输出端BN，NMOS管MN7的源极以及NMOS管MN6的源极和栅极均连接高侧浮动地VS；改进后的高压电平移位电路用于将前级脉冲产生电路输出的两路低压窄脉冲信号转化为高压侧窄脉冲后输出给后级噪声滤除电路；改进后的高压电平移位电路包括：NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN4、NMOS管MN5、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP6、PMOS管MP7、LDMOS管M4、LDMOS管M5以及电阻R6、R7、R9和R10；NMOS管MN1的栅极连接前级脉冲产生电路输出的窄脉冲信号INPS，NMOS管MN2的栅极连接前级脉冲产生电路输出的窄脉冲信号INPR，NMOS管MN1的源极和NMOS管MN2的源极均连接低侧地GND，NMOS管MN1的漏极连接PMOS管MP3的漏极和LDMOS管M4的源极，NMOS管MN2的漏极连接PMOS管MP4的漏极和LDMOS管M5的源极，PMOS管MP3的栅极连接PMOS管MP4的栅极、LDMOS管M4的栅极、LDMOS管M5的栅极以及PMOS管MP3的源极和PMOS管MP4的源极并连接电源VCC，LDMOS管M4的漏极通过电阻R9连接NMOS管MN4的漏极、PMOS管MP6的漏极和电阻R6的一端并作为改进后的高压电平移位电路的一路输出端CMS，电阻R6的另一端和PMOS管MP6的源极均连接高侧浮动电源VB，LDMOS管M5的漏极通过电阻R10连接NMOS管MN5的漏极、PMOS管MP7的漏极和电阻R7的一端并作为改进后的高压电平移位电路的另一路输出端CMR，电阻R7的另一端和PMOS管MP7的源极均连接高侧浮动电源VB，PMOS管MP6的栅极与PMOS管MP7的栅极互连并连接高侧浮动电源VB，NMOS管MN4的栅极和源极以及NMOS管MN5的栅极和源极均连接高侧浮动地VS；噪声滤除电路用于在电压瞬变噪声dVSdt来临时消除电压瞬变导致的共模噪声信号，传输无共模噪声的窄脉冲信号至后级RS触发器，噪声滤除电路的输入信号包括高压电平移位电路的输出和噪声检测电路输出的位移电流补偿信号；噪声滤除电路包括在构成V-I-V转换电路的PMOS管MP10、PMOS管MP11、PMOS管MP12、PMOS管MP13、NMOS管MN10、NMOS管MN11、NMOS管MN12和NMOS管MN13的基础上增设NMOS管MN8和NMOS管MN9；PMOS管MP10的源极以及PMOS管MP11的源极、PMOS管MP12的源极和PMOS管MP13的源极均连接高侧浮动电源VB，PMOS管MP10的栅极连接PMOS管MP13的栅极并作为噪声滤除电路的一个输出端连接高压电平移位电路的输出端CMS，PMOS管MP11的栅极连接PMOS管MP12的栅极并作为噪声滤除电路的一个输出端连接高压电平移位电路的输出端CMR，PMOS管MP10的漏极连接NMOS管MN8的漏极、NMOS管MN10的漏极和栅极以及NMOS管MN11的栅极，NMOS管MN8的源极以及NMOS管MN10的源极、NMOS管MN11的源极、NMOS管MN9的源极、NMOS管MN12的源极和NMOS管MN13的源极均连接高侧浮动地VS，NMOS管MN8的栅极连接噪声检测电路中NMOS管MN7的栅极即补偿信号的输出端BN，PMOS管MP11的漏极连接NMOS管MN11的漏极并作为噪声滤除电路的一个输出端输出置位信号Set连接后级RS触发器的S端，PMOS管MP12的漏极连接NMOS管MN9的漏极、NMOS管MN12的漏极和栅极以及NMOS管MN13的栅极，NMOS管MN9的栅极连接噪声检测电路中NMOS管MN7的栅极即补偿信号的输出端BN，PMOS管MP13的漏极连接NMOS管MN13的漏极并作为噪声滤除电路的另一个输出端输出复位信号Reset连接后级RS触发器的R端。

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百度查询： 无锡安趋电子有限公司 一种具有噪声检测的低延时高压侧驱动电路

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