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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265408A
主分类号：H10K71/15
分类号：H10K71/15;H10K71/40;H10K30/40;H10K30/50
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法，属于太阳能电池技术领域，先基于CsI、FAI和PbBr2配制宽带隙钙钛矿前驱体溶液；再基于CsI、FAI、FABr和PbSCN2配制添加剂溶液，将其与宽带隙钙钛矿前驱体溶液混合，旋涂于衬底上，经退火制得宽带隙钙钛矿薄膜。本发明添加的PbSCN2有助于增大钙钛矿晶粒尺寸，减少晶粒和晶界的缺陷，添加的CsI、FAI和FABr将与副产物PbX2生成宽带隙钙钛矿，避免薄膜中副产物PbX2的生成；过量的FAI和FABr可有效钝化晶界缺陷，阻断离子迁移的优选路径，抑制相分离现象；本发明应用于反式钙钛矿太阳电池中，可降低开路电压损失，提高器件光电效率。
主权项：1.一种宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、基于CsI、FAI和PbBr2，配制宽带隙钙钛矿前驱体溶液；步骤2、基于CsI、FAI、FABr和PbSCN2，配制添加剂溶液；步骤3、将宽带隙钙钛矿前驱体溶液与添加剂溶液混合，得到特定前驱体溶液；步骤4、将特定前驱体溶液旋涂在衬底上，经退火处理后，制得宽带隙钙钛矿薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法
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