申请/专利权人:北京曜能科技有限公司
申请日:2024-03-27
公开(公告)日:2024-06-28
公开(公告)号:CN118265400A
主分类号:H10K71/00
分类号:H10K71/00;H10K30/20
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.28#公开
摘要:一种钙钛矿薄膜的后处理方法及装置,涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。该钙钛矿薄膜的后处理装置包括光源和设于光源出光侧的光学整形元件;光源和光学整形元件分别设于钙钛矿太阳能电池制备系统的生产线上;光源出射的光束经光学整形元件的准直后照射至生产线上的钙钛矿薄膜上,以使钙钛矿薄膜在光束的照射下进行结晶退火。该钙钛矿薄膜的后处理装置能够通过无接触式实现钙钛矿薄膜的结晶退火,且能够通过集成于钙钛矿太阳能电池制备系统的生产线上,避免器件因转移导致的污染,进而能够提高钙钛矿太阳能电池的转换效率。
主权项:1.一种钙钛矿薄膜的后处理装置,其特征在于,包括光源和设于所述光源出光侧的光学整形元件,所述光源出射的光束经所述光学整形元件准直整形后在样品放置台或产线的输送线形成不小于3KWm2的均匀辐射区域。
全文数据:
权利要求:
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