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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-03-19
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263638A
主分类号：H01P1/18
分类号：H01P1/18;H01Q3/36
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种基于磁子转移力矩调控的自旋波移相器，属于自旋波逻辑器件技术领域。所述移相器包括自旋波传输介质层，以及位于自旋波传输介质层之上的自旋波激发天线电极、自旋波接收天线电极、磁子力矩传输层、强电荷‑自旋转换层、第一接触电极和第二接触电极；强电荷‑自旋转换层位于磁子力矩传输层之上、形成层叠结构，自旋波激发天线电极和自旋波接收天线电极分别位于层叠结构的两侧；第一接触电极和第二接触电极与强电荷‑自旋转换层接触，用于对强电荷‑自旋转换层施加外电流。本发明移相来源于磁子流携带的磁子转移力矩，以全电学调控的磁子流方式调控自旋波移相，调控方式具有非易失性，可用于集成化、编程化自旋波移相器件。
主权项：1.一种基于磁子转移力矩调控的自旋波移相器，其特征在于，包括自旋波传输介质层，以及位于自旋波传输介质层之上的自旋波激发天线电极1、自旋波接收天线电极2、磁子力矩传输层3、强电荷-自旋转换层4、第一接触电极5和第二接触电极6；其中，强电荷-自旋转换层4位于磁子力矩传输层3之上、形成层叠结构，自旋波激发天线电极1和自旋波接收天线电极2分别位于层叠结构的两侧；第一接触电极5和第二接触电极6与强电荷-自旋转换层4接触，用于对强电荷-自旋转换层施加外电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于磁子转移力矩调控的自旋波移相器
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