申请/专利权人:上海新傲芯翼科技有限公司
申请日:2024-03-26
公开(公告)日:2024-06-28
公开(公告)号:CN118263103A
主分类号:H01L21/18
分类号:H01L21/18
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.28#公开
摘要:本发明提供一种键合片的处理方法及键合片,在去除有源硅层边缘未与衬底硅层相键合的区域时,先利用倒角处理进行初步处理,再利用刻蚀工艺进一步处理,在执行刻蚀工艺时,控制所述键合片处于悬浮旋转状态,可以避免刻蚀液流向底层硅片的背面,与底层硅片背面的氧化层发生反应,造成底层硅晶面背面损伤。
主权项:1.一种键合片的处理方法,所述键合片包括衬底硅层、有源硅层和绝缘埋氧层,所述绝缘埋氧层位于所述衬底硅层和所述有源硅层之间,且所述衬底硅层背面具有氧化层,其特征在于,所述处理方法包括:对所述有源硅层的未键合区域通过研磨进行倒角处理,并保留部分厚度的所述未键合区域;执行刻蚀工艺,以完全去除所述未键合区域,在执行所述刻蚀工艺时,所述键合片的正面朝上,且控制所述键合片处于悬浮旋转状态。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海新傲芯翼科技有限公司 键合片的处理方法及键合片
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