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申请/专利权人：上海新傲芯翼科技有限公司
申请日：2024-03-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263104A
主分类号：H01L21/18
分类号：H01L21/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供了一种键合片边缘处理方法，包括:提供键合片，键合片包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对顶层硅层边缘的未键合区域执行边缘倒角研磨工艺，研磨后保留部分厚度的未键合区域；执行第一选择性刻蚀工艺，刻蚀去除保留的未键合区域以暴露部分绝缘埋氧层；其中，ThkboxYX；X为第一选择性刻蚀工艺所采用的刻蚀剂刻蚀未键合区域和绝缘埋氧层的刻蚀选择比，X为第一设定值；Y为顶层硅层研磨后保留的未键合区域的厚度差，Y为第二设定值；Thkbox为绝缘埋氧层的厚度。本发明能够改善第一选择性刻蚀工艺后刻蚀区的表面均匀性以及降低对绝缘埋氧层的厚度要求。
主权项：1.一种键合片边缘处理方法，其特征在于，包括:提供键合片，所述键合片包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对所述顶层硅层边缘的未键合区域执行边缘倒角研磨工艺，研磨后保留部分厚度的所述未键合区域；执行第一选择性刻蚀工艺，刻蚀去除保留的所述未键合区域以暴露部分所述绝缘埋氧层；其中，ThkboxYX；X为所述第一选择性刻蚀工艺所采用的刻蚀剂刻蚀所述未键合区域和所述绝缘埋氧层的刻蚀选择比，X为第一设定值；Y为所述顶层硅层研磨后保留的所述未键合区域的厚度差，Y为第二设定值；Thkbox为所述绝缘埋氧层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海新傲芯翼科技有限公司 键合片边缘处理方法
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