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申请/专利权人：天津理工大学
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255808A
主分类号：C07F9/572
分类号：C07F9/572;H10K85/60;H10K30/50
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种以二甲基茚并咔唑为底的自组装单分子膜空穴传输材料及其制备方法和应用，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，本发明以新一代的自组装单分子膜SAMs作为空穴选择性接触，与常见的MeO‑2PACz相比具有较低的成本以及较好的稳定性。本发明借鉴咔唑膦酸分子的特点，设计的分子中膦酸基团将形成强的Pb‑O键配位，而具有合适能级的共轭基团保留为二甲基茚并咔唑,从而能够有效确保空穴的高效分离与传输，同时还能够有效阻挡空穴从钙钛矿层跃迁至空穴传输层，抑制界面电子复合的发生。该空穴传输材料制备方法简单，产率高，制备成本低，是一种性能优良的光电材料。以其作为空穴传输层应用到钙钛矿太阳能电池中，能够获得超过24.14％的光电转化效率。
主权项：1.一种以二甲基茚并咔唑为底的自组装单分子膜空穴传输材料，其特征在于，具有式KS04所示的化学结构式：
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津理工大学 一种以二甲基茚并咔唑为底的自组装单分子膜空穴传输材料及其制备方法和应用
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