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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118255797A
主分类号：C07F5/02
分类号：C07F5/02;C07C219/08;C07C225/14;C07C211/48;C07C229/18;C07D233/60;C07D233/58;C07D213/50;C07D213/04;C07D207/327;C07D207/325;H10K85/60;H10K85/50;H10K30/86;H10K30/50
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种多功能离子型可原位交联空穴掺杂剂及在钙钛矿光电器件中的应用，属于有机半导体材料与光电器件技术领域。所述离子型可原位交联空穴掺杂剂的阴离子为氟化的苯基硼酸结构，阳离子为含有交联基团的结构。本发明掺杂剂具有大的离子半径、高的迁移势垒，可抑制掺杂剂在钙钛矿光电器件中的迁移；同时，掺杂剂具有含氟疏水单元，可提升空穴传输层的疏水特性，增强钙钛矿光电器件的环境稳定性。特别地，本发明掺杂剂的原位交联可构筑稳定的网络化空穴传输层，提升钙钛矿光电器件的稳定性；离子型的空穴掺杂剂可钝化钙钛矿接触界面的缺陷态，有效降低钙钛矿晶体的缺陷态密度和载流子的非辐射复合几率，提升钙钛矿光电器件效率。
主权项：1.一种多功能离子型可原位交联空穴掺杂剂，其特征在于，所述离子型可原位交联空穴掺杂剂的阴离子为氟化的苯基硼酸结构，阳离子为含有交联基团的结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 多功能离子型可原位交联空穴掺杂剂及在钙钛矿光电器件中的应用
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