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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日：2024-04-03
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249209A
主分类号：H01S5/343
分类号：H01S5/343;H01S5/34
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及一种具有空穴扩展层的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。器件沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR层、N‑型半导体材料层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体材料层、电流限制层和电流扩展层，电流扩展层上方设置有顶部介质DBR层和P‑型欧姆电极，N‑型半导体材料层上方设置有N‑型欧姆电极，P‑型半导体材料层上侧中部内嵌设置有空穴扩展层。本发明在孔径下生长空穴扩展层层，利用空穴扩展层层与P‑型半导体材料形成的势垒对空穴产生扩展作用。
主权项：1.一种具有空穴扩展层的VCSEL器件，其特征在于，沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR层、N-型半导体材料层、多量子阱层、P-型电子阻挡层、P-型半导体材料层、电流限制层和电流扩展层，电流扩展层上方设置有顶部介质DBR层和P-型欧姆电极，N-型半导体材料层上方设置有N-型欧姆电极，P-型半导体材料层上侧中部内嵌设置有空穴扩展层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种具有空穴扩展层的VCSEL器件及其制备方法
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