买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:湖南蓝芯微电子科技有限公司
摘要:本发明涉及LED半导体技术领域,具体涉及一种AlN缓冲层上生长超晶格插入层的外延结构及制备方法。本发明的超晶格插入层,从下至上依次为BxAl1‑xN层和ByGAl‑yN层交替生长形成,其中:BxAl1‑xN层沿平行生长方向设置,B的组分含量从AlN缓冲层一侧向三维成核层一侧逐渐增大;ByGAl‑yN层沿垂直生长方向设置,B的组分含量从AlN缓冲层一侧向三维成核层一侧逐渐减少。通过调节超晶格中B的组分含量,可以使此超晶格较好的与AlN缓冲层和三维成核层的晶格相匹配,从而降低缺陷密度;形成与AlN缓冲层的应力方向相反的应力,从而降低由于AlN缓冲层的应力导致的外延片翘曲,有利于改善波长均匀性。
主权项:1.一种AlN缓冲层上生长超晶格插入层的外延结构,其特征在于,包括外延结构,外延结构包括蓝宝石衬底,以及依次位于蓝宝石衬底上AlN缓冲层、超晶格插入层、三维成核层、二维缓冲恢复层、U型GaN层、N型GaN层、应力释放层、发光层和P型层,其中:超晶格插入层,从下至上依次为BxAl1-xN层和ByGAl-yN层交替生长形成,其中:BxAl1-xN层沿平行生长方向设置,B的组分含量从AlN缓冲层一侧向三维成核层一侧逐渐增大;ByGAl-yN层沿垂直生长方向设置,B的组分含量从AlN缓冲层一侧向三维成核层一侧逐渐减少。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 湖南蓝芯微电子科技有限公司 AlN缓冲层上生长超晶格插入层的外延结构及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。