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申请/专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
摘要：本发明涉及LED半导体技术领域，具体涉及一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用。紫外LED外延结构包括由下向上设置的衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型AlGaN层；所述量子阱发光层为具有多个周期的AlxGa1‑xNAlyGa1‑yN超晶格结构，所述AlxGa1‑xNAlyGa1‑yN超晶格结构包括AlxGa1‑xN势垒层和AlyGa1‑yN势阱层；所述AlyGa1‑yN势阱层由第一阱层AlyaGa1‑yaN、第二阱层AlybGa1‑ybN和第三阱层AlycGa1‑ycN组成，其中yb＞ya＞yc。本发明的紫外LED外延结构能够提升内量子效率和发光效率。
主权项：1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，包括由下向上设置的衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型AlGaN层；所述量子阱发光层为具有多个周期的AlxGa1-xNAlyGa1-yN超晶格结构，所述AlxGa1-xNAlyGa1-yN超晶格结构包括AlxGa1-xN势垒层和AlyGa1-yN势阱层；所述AlyGa1-yN势阱层由第一阱层AlyaGa1-yaN、第二阱层AlybGa1-ybN和第三阱层AlycGa1-ycN组成，其中yb＞ya＞yc；AlxGa1-xNAlyGa1-yN超晶格结构的周期数为5~10；0.1≤x≤0.5，0＜y≤0.4。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州市众拓光电科技有限公司 一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用
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