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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法。本发明突破了传统外延工艺异质集成不同种类单晶材料的必要条件——晶格匹配，利用化学气相沉积法制备的2H‑MoTe2具有横向外延相变的特殊生长机制，通过控制温度和时间使得单晶二维半导体碲化钼薄膜可以与任意单晶衬底直接生长集成，而不受到晶格匹配的限制。由此获得的异质集成结构可以同时利用碲化钼的半导体特性和基底的物理特性，提高器件的性能和增强器件功能化。并且，该方法适用于大面积制备，可以实现集成化的光电器件阵列的制备，为实现晶圆级、工业化的芯片制造提供基础，为二维半导体材料在集成电路和光电芯片方面的应用提供了基础。
主权项：1.一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法，包括以下步骤：1）在单晶基底表面沉积一层1-5nm厚的钼薄膜；2）以碲单质作为Te源，通过化学气相沉积法预处理单晶基底上的钼薄膜，在单晶基底上形成金属相碲化钼薄膜；3）以碲单质作为Te源，通过化学气相沉积法处理单晶基底上的金属相碲化钼薄膜，进行化学气相沉积的温度控制在700℃，形成大面积单晶二维半导体碲化钼薄膜与单晶基底的异质集成结构。
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权利要求：
百度查询： 北京大学 一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法
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