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申请/专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
摘要：本发明公开了一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法，掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。本发明采用掺Al氧化镓单晶，通过在氧化镓中掺杂Al提高探测器的电阻率，并将掺Al氧化镓单晶切割后得到单晶基体片，并对单晶基体片进行退火处理，通过退火处理降低掺Al氧化镓单晶中自由电子浓度，从而提高探测器的灵敏度。
主权项：1.一种掺Al氧化镓X射线探测器的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供掺Al氧化镓单晶；所述掺Al氧化镓单晶为使用导模法生长100晶面掺Al氧化镓，所述掺Al氧化镓单晶中Al的掺杂浓度为20mol％；对所述掺Al氧化镓单晶进行切割处理得到单晶基体片；所述单晶基体片为6mm×6mm×0.5mm的晶体片；对所述单晶基体片进行退火处理得到退火的单晶基体片；所述退火处理的温度为1450℃，所述退火处理的时间为20h，所述退火处理的气氛为空气；在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器；所述在所述退火的单晶基体片上形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器，包括：对所述退火的单晶基体片进行抛光处理和超声处理得到超声的单晶基体片；在所述超声的单晶基体片上采用磁控溅射镀膜形成叉指电极得到掺Al氧化镓X射线探测器。
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百度查询： 杭州富加镓业科技有限公司 一种掺Al氧化镓X射线探测器及其制备方法
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