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申请/专利权人：浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司
申请日：2022-05-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN117059632B
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开
摘要：本发明提供了一种低探测盲区雪崩二极管传感器，包括制备于传感器芯片上的SPAD像元二维阵列，所述SPAD像元二维阵列包括：至少两个连续排布的SPAD像元构成的像元排布区；用于集中摆放多个SPAD像元控制检测电路的AFE集中摆放区，所述AFE集中摆放区包括控制检测电路摆放区域和围绕所述控制检测电路摆放区域设置的隔离区域；其中，所述像元排布区和AFE集中摆放区在阵列内周期性交替排布，且相邻AFE集中摆放区域的空间周期大于两个相邻像元中心的间距。本发明的雪崩二极管传感器，通过对SPAD像元和控制检测电路分别进行集中布局，并进行周期性排布，显著减少了像元和控制电路之间的隔离区域所占用的面积，并避免了因AFE单元过于聚集导致阵列中产生大面积的探测盲区。
主权项：1.一种低探测盲区雪崩二极管传感器，其特征在于，包括制备于传感器芯片上的SPAD像元二维阵列，所述SPAD像元二维阵列包括：至少两个连续排布的SPAD像元构成的像元排布区；用于集中摆放多个SPAD像元控制检测电路的AFE集中摆放区，所述AFE集中摆放区包括控制检测电路摆放区域和围绕所述控制检测电路摆放区域设置的隔离区域；其中，所述像元排布区和AFE集中摆放区在阵列内周期性交替排布，且相邻AFE集中摆放区域的空间周期大于两个相邻像元中心的间距；所述AFE集中摆放区包括至少两种类型，不同类型的AFE集中摆放区内摆放不同类型的控制检测电路，并周期性交替排布；所述SPAD像元二维阵列的一行或一列仅配置有一种类型的AFE集中摆放区，并以预设摆放模式与像元排布区周期性交替摆放，且不同类型的AFE集中摆放区对应的像元排布区内连续排布的SPAD像元的个数不同；采用不同摆放模式的行列在整个阵列内周期性交替排布。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙桂(杭州)半导体科技有限责任公司 一种低探测盲区雪崩二极管传感器
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