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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2020-08-11
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN111968986B
主分类号：H10B43/10
分类号：H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2020.12.08#实质审查的生效;2020.11.20#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种三维存储器及其制造方法。三维存储器包括：衬底；位于衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括多个块区域，所述块区域包括第一核心区和第二核心区，以及位于所述第一核心区和所述第二核心区之间的阶梯区，所述阶梯区包括阶梯结构以及至少位于所述阶梯结构一侧的挡墙；以及，第一分隔结构，至少位于相邻两个所述挡墙之间。其中，所述第一分隔结构填充有绝缘材料。本发明提供的三维存储器及其制造方法，在实现块区域分割的同时，又在阶梯区进行了加固，尤其在挡墙位置，降低了刻蚀形成栅线缝隙以及进行栅极置换时导致的堆叠结构坍塌的风险。
主权项：1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括多个块区域，所述块区域包括第一核心区和第二核心区，以及位于所述第一核心区和所述第二核心区之间的阶梯区，所述阶梯区包括阶梯结构以及至少位于所述阶梯结构一侧的挡墙，所述挡墙包括层间绝缘层，所述层间绝缘层包括氧化硅；以及，第一分隔结构，至少位于相邻两个所述挡墙之间，所述第一分隔结构填充有绝缘材料并将相邻所述块区域中的所述层间绝缘层连接为一体，所述绝缘材料包括氧化硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制造方法
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