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申请/专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日：2019-12-27
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN111384152B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06
优先权：["20181228 TW 107147868"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.01.14#实质审查的生效;2020.07.07#公开
摘要：本发明公开一种半导体元件，其包括基层以及缓冲结构。基层包含第一半导体化合物。第一半导体化合物具有第一晶格常数并包含多种元素，且各多种元素中原子半径最大者的原子半径定义为第一原子半径。缓冲结构包含第二半导体化合物以及第一添加物，第二半导体化合物具有第二晶格常数，且第一添加物具有第二原子半径。第二晶格常数大于第一晶格常数，且第二原子半径大于第一原子半径。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包括：基层，包含第一半导体化合物，该第一半导体化合物具有第一晶格常数并包含多种元素，且该些多种元素中原子半径最大者的原子半径定义为第一原子半径；以及缓冲结构，包含第二半导体化合物、第一添加物以及第二添加物，该第二半导体化合物具有第二晶格常数，且该第一添加物具有第二原子半径；其中，该第一半导体化合物与该第二半导体化合物为三五族半导体化合物，该第一添加物包含锑Sb、铟In或碲Te，该第二添加物包含硅Si、碲Te、碳C、锌Zn或镁Mg，该第二添加物与该第一添加物不同，在该缓冲结构中，该第二添加物的最大浓度大于该第一添加物的最大浓度，该第二晶格常数大于该第一晶格常数，且该第二原子半径大于该第一原子半径。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶元光电股份有限公司 半导体元件
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