申请/专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司

申请日：2022-01-13

公开（公告）日：2024-06-14

公开（公告）号：CN114464242B

主分类号：G11C29/14

分类号：G11C29/14;G11C29/18;G11C29/56

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.14#授权;2022.05.27#实质审查的生效;2022.05.10#公开

摘要：本发明涉及一种DDR测试方法、装置、控制器及存储介质，涉及半导体集成电路测试技术领域。所述DDR测试方法通过对DDR内存芯片进行两次数据的校验，其中通过第一次校验即对N个所述测试数据块进行读取校验，以此筛选出初步校验为合格的DDR内存芯片，在经过第一逻辑性数据移动以及第二逻辑性数据移动之后，再进行第二次校验即对所述可测试内存单元的N个测试数据块进行读取校验，通过两次校验筛选出性能合格的DDR内存芯片，解决了现有技术中只经过一次读取数据校验而测试得出的结果容易出现错误的问题。通过本发明提供的DDR测试方法得出的数据校验结果具有可靠性，进而提高对DDR内存芯片的测试结果的准确性。

主权项：1.一种DDR测试方法，其特征在于，包括：接入DDR内存芯片以获取所述DDR内存芯片的可测试内存单元；所述可测试内存单元包括若干个存储单元；将若干个所述存储单元划分为N个数据块；按照预设的规则对N个所述数据块写入测试数据，得出N个测试数据块；对N个所述测试数据块进行读取校验；若对N个所述测试数据块的读取校验的结果为校验成功，将所述可测试内存单元划分为四个测试单元；所述可测试内存单元包括N个测试数据块；分别对N个所述测试数据块进行第一逻辑性数据移动；对四个所述测试单元进行第二逻辑性数据移动；对所述可测试内存单元的N个测试数据块进行读取校验；若对所述可测试内存单元的N个测试数据块的读取校验的结果为检验成功，判定所述DDR内存芯片为合格内存芯片，其中，N为大于4的整数；其中，所述分别对N个所述测试数据块进行第一逻辑性数据移动，包括：分别将N个所述测试数据块划分为第一测试数据块以及第二测试数据块，其中所述第一测试数据块的字节数量与所述第二测试数据块的字节数量相等；将所述第一测试数据块以及第二测试数据块的位置互换；所述可测试内存单元包括第一测试单元、第二测试单元、第三测试单元以及第四测试单元，所述对四个所述测试单元进行第二逻辑性数据移动，包括：获取所述第一测试单元、所述第二测试单元、所述第三测试单元以及所述第四测试单元的初始位置信息；根据所述初始位置信息，对所述第一测试单元、所述第二测试单元、所述第三测试单元以及所述第四测试单元进行第二逻辑性数据移动；其中，先将所述第二测试单元的位置与所述第三测试单元的位置互换，以及将所述第一测试单元的位置与所述第四测试单元的位置互换；再将所述第二测试单元的位置与所述第四测试单元的位置互换，以及将所述第一测试单元的位置与所述第三测试单元的位置互换，完成所述第二逻辑性数据移动。

全文数据：

权利要求：

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