龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
申请日：2024-05-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231413A
主分类号：H01L27/12
分类号：H01L27/12;H01L21/77;H01L29/08
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明提供了一种PDSOI晶体管及其制造方法，包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、位于所述底硅层上的埋氧化层以及位于所述埋氧化层上的顶硅层，所述顶硅层中形成有阱区；栅极结构，所述栅极结构位于所述SOI衬底上；以及，源级和漏极，所述源级和所述漏极分别位于所述栅极结构两侧的所述阱区中，所述源级为外延工艺结构并且至少部分的所述源级的导电类型和所述阱区的导电类型相同。源级为通过外延生长工艺形成的外延工艺结构，并且至少部分的所述源级的导电类型和所述阱区的导电类型相同，由此，体区中的电荷能够经由所述源级被引出，从而避免了由此而产生的浮体效应的问题，提高了PDSOI晶体管的质量和可靠性。
主权项：1.一种PDSOI晶体管，其特征在于，所述PDSOI晶体管包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、位于所述底硅层上的埋氧化层以及位于所述埋氧化层上的顶硅层，所述顶硅层中形成有阱区；栅极结构，所述栅极结构位于所述SOI衬底上；以及，源级和漏极，所述源级和所述漏极分别位于所述栅极结构两侧的所述阱区中，所述源级为外延工艺结构并且至少部分的所述源级的导电类型和所述阱区的导电类型相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 PDSOI晶体管及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号