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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：公开了一种对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路包括带电流源的三极管模型和NMOS管；所述三极管模型并联到所述NMOS管上；所述三极管模型的三极管的发射极连接所述NMOS管源极，基极连接所述NMOS管体引出，集电极连接所述NMOS管漏极。本发明通过采用由带电流源的三极管模型和NMOS管等构成的仿真分析电路，提供了一种针对PDSOI器件单粒子翻转仿真分析方法，实现了利用电路仿真代替TCAD二维仿真分析单粒子翻转效应，加大了单粒子翻转分析对象的规模，并使得分析更加快捷，很大程度提高工作效率。
主权项：一种对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路，其特征在于，包括：带电流源的三极管模型和NMOS管；所述三极管模型并联到所述NMOS管上；所述三极管模型的三极管的发射极连接所述NMOS管源极，基极连接所述NMOS管体引出，集电极连接所述NMOS管漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 对PDSOI器件单粒子翻转的仿真分析电路
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