龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：北京工业大学
申请日：2023-02-26
公开（公告）日：2023-06-23
公开（公告）号：CN116314002A
主分类号：H01L21/762
分类号：H01L21/762
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开
摘要：一种PDSOI体接触结构的实现方式属于半导体技术领域。本发明还提供了一种新型的器件结构，通过VSTI下面的P型硅区将体区与P+区连接，并在源极和P+体接触区上设置金属硅化物层形成欧姆接触，用以钳制体区电位，维持阈值电压稳定，使寄生双极晶体管不易导通。本发明除了有效抑制PDSOI器件工作时产生的浮体效应之外，还与标准CMOS工艺兼容，做到了不改变沟道宽度，还使体区两端都有接触。
主权项：1.一种PDSOI体接触结构的实现方式，其特征在于：1首先进行SOI晶圆制备；具体方法为先在硅衬底上形成隐埋氧化层即BOX层，再在BOX层上形成顶层硅膜作为体区，或者在硅衬底上注入氧离子，在硅衬底内部形成BOX层；2定义有源区，并在有源区周围形成场氧隔离区；3在平行于栅极的纵向对称轴方向上定义VSTI区，作为体区引出通道；4在有源区通过注入硼离子形成P+区；5在有源区形成二氧化硅栅介质层，在介质层上形成多晶硅作为栅区；6在有源区上通过离子注入形成源区和漏区，注入离子为砷或磷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种PDSOI体接触结构的实现方式
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号