申请/专利权人：中国航天时代电子公司第七七一研究所

申请日：2009-02-13

公开（公告）日：2011-01-12

公开（公告）号：CN101488709B

主分类号：H02M3/07(2006.01)I

分类号：H02M3/07(2006.01)I

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2011.01.12#授权;2009.09.16#实质审查的生效;2009.07.22#公开

摘要：本发明公开了一种基于PDSOI工艺的电荷泵电路。由于PDSOI工艺中，晶体管器件为全介质隔离，没有共同的衬底或阱区，可以将其体区作为电路的设计变量，本发明正是基于这样一种构思，占空比为1∶1的时钟通过两相相互交叠时钟产生电路11产生两相相互交叠时钟，再通过电容的耦合作用使MOS晶体管的体区电平发生变化，从而在同一电路中实现了一阶升压电荷泵和一阶降压电荷泵的功能。

主权项：一种基于PDSOI工艺的电荷泵电路，其特征在于，包括连接输入端A用于产生两相相互交叠时钟信号的两相相互交叠时钟产生电路11，其产生的两相相互交叠时钟信号通过第一输出端B、第二输出端C输入到一阶升压降压电荷泵12，在一阶升压降压电荷泵12的升压输出端D输出为2倍电源电压的电平，并在一阶升压降压电荷泵12的降压输出端E输出为负电源电压的电平；所述一阶升压降压电荷泵12包括连接第一输出端B的第一PMOS晶体管301和第一NMOS晶体管302组成的反相器、第二PMOS晶体管303栅极，该反相器的输出端连接第二NMOS晶体管304的栅极，第二PMOS晶体管303的漏极连接第二NMOS晶体管304的漏极；第二PMOS晶体管303的体区I连接第三PMOS晶体管313的漏极，第三PMOS晶体管313的源极连接升压输出端D；第二NMOS晶体管304的体区M连接第三NMOS晶体管316的漏极，第三NMOS晶体管316的源极连接降压输出端E；所述一阶升压降压电荷泵12还包括连接第二输出端C的第五PMOS晶体管307和第五NMOS晶体管308组成的反相器、第六PMOS晶体管309栅极，该反相器的输出端连接第六NMOS晶体管310的栅极，第六PMOS晶体管309的漏极连接第六NMOS晶体管310的漏极；第六PMOS晶体管309的体区K连接第三PMOS晶体管313的栅极；第六NMOS晶体管310的体区N连接第三NMOS晶体管316的栅极；来自第一输出端B的时钟信号通过第一电容305的耦合作用控制第二PMOS晶体管303体区I的电压，给第一负载电容315充电；来自第二输出端C的时钟信号通过第三电容311的耦合作用控制第六PMOS晶体管309的体区K的电压，并决定第三PMOS晶体管313的开启与关断；来自第一输出端B的时钟信号通过第一PMOS晶体管301、第一NMOS晶体管302组成的反相器和第二电容306的耦合作用控制第二NMOS晶体管304的体区M的电压，给第二负载电容318放电；来自第二输出端C的时钟信号通过第五PMOS晶体管307、第五NMOS晶体管308组成的反相器和第四电容312的耦合作用控制第六NMOS晶体管310的体区N的电压，并决定第三NMOS晶体管316的开启与关断。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国航天时代电子公司第七七一研究所 一种基于PDSOI工艺的电荷泵电路

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