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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及一种形成在绝缘体上半导体基板上的光子电子集成电路芯片，该绝缘体上硅基板包括掩埋的介电层11和有源半导体层12，所述芯片包括电子电路部分CE1、CE2和用于互连电子电路部分的光子接口IPI，它们共同集成在有源层中，所述芯片的特征在于，电子电路部分CE1、CE2形成在有源层的区域RE1、RE2中，该区域的厚度大于有源层的形成有所述光子接口IPI的区域RP的厚度。
主权项：1.一种光子电子集成电路芯片，所述光子电子集成电路芯片形成在绝缘体上半导体基板上，所述绝缘体上半导体基板包括嵌入的介电层11和半导体材料的有源层12，所述芯片包括共同集成在所述有源层中的电子电路部分CE1、CE2和所述电子电路部分的光子互连接口IPI，其特征在于，所述电子电路部分CE1、CE2形成在有源层区域RE1、RE2中，该有源层区域RE1、RE2的厚度大于形成有所述光子接口IPI的有源层区域RP的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索泰克公司 光子电子集成电路芯片和制造光子电子集成电路芯片的方法
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