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申请/专利权人:常州大学
摘要:本发明公开了一种在低共熔溶剂中电沉积制备Ga‑Sn合金的方法,属于电沉积技术领域。将镓源、锡源溶解于以氯化胆碱和尿素制备的低共熔溶剂中制得电解液。在电解液体系中,以0.1~3Adm‑2的电流密度进行恒电流电沉积,实验温度为50~90℃,得到Ga‑Sn合金。合金Ga含量为0~80at.%。该方法操作简单、安全可靠,可以通过一步法电沉积制备得到Ga‑Sn合金。
主权项:1.一种在低共熔溶剂中电沉积制备Ga-Sn合金的方法,其特征在于:包括如下具体步骤:在以含镓源和锡源的低共熔溶剂为电解液,以导电材料为阴极,铂网为阳极的电沉积体系中,恒电流电沉积Ga-Sn合金;所述低共熔溶剂由氯化胆碱和尿素按照摩尔比1:1~5组成;沉积电流密度范围为0.1~3Adm-2,电沉积温度范围为50℃~90℃。
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