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申请/专利权人：中山大学
申请日：2024-03-18
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118184355A
主分类号：C04B35/56
分类号：C04B35/56;C04B35/622;C04B35/80
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种CC‑Ti,Zr,Hf,Mo,WC‑SiC复合材料的制备方法，包括如下步骤：将CC复合多孔坯体浸渍在Ti,Zr,Hf,Mo,WC‑SiC复相陶瓷先驱体溶液，浸渍过程包括依次进行的真空浸渍和压力浸渍，然后进行固化和裂解，重复浸渍‑固化‑裂解直至致密，制得复合材料；所述压力浸渍的压力≥50MPa。本发明将浸渍压力提升到50MPa以上，这不仅缩短了复合材料的制备周期，提高了制备效率，而且解决了Si元素与过渡金属元素分布不均匀的问题，成功制备出单相低EFA体系且元素分布均匀的CC‑Ti,Zr,Hf,Mo,WC‑SiC复合材料。
主权项：1.一种CC-Ti,Zr,Hf,Mo,WC-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将Ti,Zr,Hf,Mo,WC先驱体溶液与聚碳硅烷混合得到Ti,Zr,Hf,Mo,WC-SiC复相陶瓷先驱体溶液；S2、将CC复合多孔坯体浸渍在Ti,Zr,Hf,Mo,WC-SiC复相陶瓷先驱体溶液，浸渍过程包括依次进行的真空浸渍和压力浸渍，然后进行固化和裂解，重复浸渍-固化-裂解直至致密，制得CC-Ti,Zr,Hf,Mo,WC-SiC复合材料；所述压力浸渍的压力≥50MPa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种C/C-(Ti,Zr,Hf,Mo,W)C-SiC复合材料的制备方法
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