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摘要：本申请提供了一种具有抑制多层SAW器件杂散的IDT结构，所述多层SAW器件包括：第一SiO2温度补偿层，置于所述第一SiO2温度补偿层之上的第一高阻抗层，置于所述第一高阻抗层之上的第二SiO2温度补偿层，置于所述第二SiO2温度补偿层之上的第二高阻抗层，置于所述第二高阻抗层之上的第三SiO2温度补偿层，置于所述第三SiO2温度补偿层之上的压电层，置于所述压电层之上的IDT层。所述IDT层包括：第一汇流条，第二汇流条，第三汇流条，第四汇流条，第一电极，第二电极，第一赝电极，第二赝电极，第三赝电极与第四赝电极。此种改进的IDT结构下的多层SAW器件对比均匀IDT结构下的多层SAW器件，不仅能够抑制均匀IDT下出现的杂散响应，还能对多层SAW器件谐振频率的品质因子进行提升。
主权项：1.一种具有抑制多层SAW器件杂散的IDT结构，其特征在于，包含以下步骤：设计多层SAW器件，所述多层SAW器件包括：第一SiO2温度补偿层，置于所述第一SiO2温度补偿层之上的第一高阻抗层，置于所述第一高阻抗层之上的第二SiO2温度补偿层，置于所述第二SiO2温度补偿层之上的第二高阻抗层，置于所述第二高阻抗层之上的第三SiO2温度补偿层，置于所述第三SiO2温度补偿层之上的压电层，置于所述压电层之上的IDT层；所述IDT层包括：第一汇流条，第二汇流条，第三汇流条，第四汇流条，第一电极，第二电极，第一赝电极，第二赝电极，第三赝电极与第四赝电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晨宸辰科技有限公司 一种具有抑制多层SAW器件杂散的IDT结构
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