申请/专利权人:翱捷科技股份有限公司
申请日:2024-04-02
公开(公告)日:2024-06-14
公开(公告)号:CN118199637A
主分类号:H03M1/10
分类号:H03M1/10;H03M1/46
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.07.02#实质审查的生效;2024.06.14#公开
摘要:本发明公开了一种带失配校准的逐次逼近模数转换器。采样保持电路中,共模电压Vcm通过采样开关连接二进制加权电容阵列的上极板,输入电压Vin仅在采样时序接在MSB电容的下极板。内部参考数模转换器采用二进制加权电容阵列实现。N位逐次逼近模数转换器采用N位二进制加权电容阵列,共有N个电容,从高位到低位依次是MSB电容、第二高位电容、……、LSB电容。模拟电压比较器将二进制加权电容阵列的上极板电压与共模电压Vcm进行比较,并将比较结果提供给逐次逼近寄存器。本发明对采样结构进行调整,达到满域的电压输入范围。对二进制加权电容阵列进行改进,达到消除残余误差量。
主权项:1.一种带失配校准的逐次逼近模数转换器,包括采样保持电路、内部参考数模转换器、模拟电压比较器、逐次逼近寄存器;其特征是,所述采样保持电路中,共模电压Vcm通过采样开关连接二进制加权电容阵列的上极板,输入电压Vin仅在采样时序接在MSB电容的下极板;所述内部参考数模转换器采用二进制加权电容阵列实现,N位逐次逼近模数转换器采用N位二进制加权电容阵列,共有N个电容,从高位到低位依次是MSB电容、第二高位电容、……、LSB电容;所述二进制加权电容阵列有上、下两极板,其中接模拟电压比较器的极板为上极板,另一端为下极板;所述模拟电压比较器用来将二进制加权电容阵列的上极板电压与共模电压Vcm进行比较,并将比较结果提供给逐次逼近寄存器。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 翱捷科技股份有限公司 一种带失配校准的逐次逼近模数转换器及其实现方法
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