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一种低CTE的高频高速金属基板及其制备方法 

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申请/专利权人:腾辉电子(苏州)有限公司

摘要:本发明属于金属基板领域,涉及一种低CTE的高频高速金属基板及其制备方法;低CTE的高频高速金属基板由金属板、铜箔以及位于二者之间的绝缘树脂层组成,绝缘树脂层的CTE在50~200℃时为20~30μmm·℃;制备方法即将胶水涂布于基片上,干燥后得到半固化片;再在金属板的上方堆叠0张以上去除基片后的半固化片后,再堆叠1张带铜箔的半固化片并控制铜箔朝上,进行热压,或在金属板的上方堆叠1张以上去除基片后的半固化片后,再堆叠1张铜箔,进行热压,即得低CTE的高频高速金属基板。本发明的制备方法简单,制得的低CTE的高频高速金属基板的绝缘树脂层的CTE与金属底材相近。

主权项:1.一种低CTE的高频高速金属基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1将胶水涂布于基片上,干燥后得到半固化片,其中,基片为铜箔或者带离型剂的PET膜,离型剂朝向胶水;胶水包括A组分和B组分;A组分由质量比为4:6~6:4的固体和溶剂组成,按重量百分数计,固体由5%~20%的PPO、44%~67%的TAIC、5%~17%的BMI、0.5%~1.5%的过氧化物引发剂和余量的HC组成;B组分为无机填料;B组分的质量为胶水总质量的75%~85%;2在金属板的上方堆叠0张以上去除基片后的半固化片后,再堆叠1张带铜箔的半固化片并控制铜箔朝上,进行热压,即得低CTE的高频高速金属基板;或者,在金属板的上方堆叠1张以上去除基片后的半固化片后,再堆叠1张铜箔,进行热压,即得低CTE的高频高速金属基板;金属板为铜板或铝板;热压的温度为200~220℃,时间为100~120min。

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权利要求:

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