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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种半导体紫光紫外发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、超晶格层、量子阱层和p型半导体层，其特征在于，所述量子阱层具有InO元素比例分布、AlO元素比例分布、MgC元素比例分布和HC元素比例分布特性，所述量子阱层和超晶格层具有SiO元素比例分布组合特性。本发明能够提升紫外发光二极管的量子阱层对载流子的量子限域效应，降低量子阱层的自发极化和压电极化效应，减少量子限制Stark效应，降低空穴注入势垒并提升电子溢流势垒，提升空穴注入效率并降低电子溢流几率，提升空穴注入效率和电子空穴波函数的交叠几率，改善效率衰减效应，使紫外发光二极管的效率衰减从30～50％下降至10～20％。
主权项：1.一种半导体紫光紫外发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、超晶格层、量子阱层和p型半导体层，其特征在于，所述量子阱层具有InO元素比例分布、AlO元素比例分布、MgC元素比例分布和HC元素比例分布特性，所述量子阱层和超晶格层具有SiO元素比例分布组合特性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体紫光紫外发光元件
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