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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种氮化镓半导体紫光紫外激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层和上包覆层，上波导层包括第一抑制光吸收损耗层和第二抑制光吸收损耗层；第一抑制光吸收损耗层和第二抑制光吸收损耗层的光子能量吸收系数和辐射复合系数均可调控。本发明提出的氮化镓半导体紫光紫外激光器，通过调控上波导层的光子能量吸收系数和辐射复合系数，以调控激光器的折射率色散，降低光波导层的杂质吸收损耗，提升激光器的模式增益；同时，形成抑制光吸收损耗区域，将光场限制在上波导层中，抑制未电离Mg杂质的光学吸收，降低光波导层的载流子吸收损耗，从而降低激光器的内部光学损耗并提升限制因子。
主权项：1.一种氮化镓半导体紫光紫外激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层和上包覆层，其特征在于，所述上波导层包括第一抑制光吸收损耗层和第二抑制光吸收损耗层；所述第一抑制光吸收损耗层和第二抑制光吸收损耗层的光子能量吸收系数和辐射复合系数均可调控。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种氮化镓半导体紫光紫外激光器
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