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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：公开了通过使用铜镍锡金属化堆叠体和扩散焊接安装到引线框架的二极管层堆叠体倒装芯片。一种用于制造二极管层堆叠体的方法100包括：提供二极管层堆叠体110，其包括：碳化硅二极管管芯，其包括位于二极管管芯的阳极侧处的第一主表面以及位于二极管管芯的阴极侧处的与第一主表面相对的第二主表面，层堆叠体，其位于二极管管芯的第一主表面上，层堆叠体包括设置在二极管管芯的第一主表面上的铜层以及设置在铜层上方的含锡层或含铟层；提供管芯焊盘120，其包括铜引线框架，其包括：第一主表面以及与第一主表面相对的第二主表面；以及执行用于将具有层堆叠体的二极管层堆叠体连接到管芯焊盘的第一主表面的扩散焊接工艺130。
主权项：1.一种用于制造半导体装置的方法100，所述方法包括：提供二极管层堆叠体110，所述二极管层堆叠体包括：碳化硅二极管管芯，所述碳化硅二极管管芯包括位于所述二极管管芯的阳极侧处的第一主表面以及位于所述二极管管芯的阴极侧处的与所述第一主表面相对的第二主表面，层堆叠体，所述层堆叠体位于所述二极管管芯的所述第一主表面上，所述层堆叠体包括设置在所述二极管管芯的所述第一主表面上的铜层以及设置在所述铜层上方的含锡层或含铟层；提供管芯焊盘120，所述管芯焊盘包括铜引线框架，所述铜引线框架包括：第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面；以及执行用于将具有所述层堆叠体的所述二极管层堆叠体连接到所述管芯焊盘的所述第一主表面的扩散焊接工艺130。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 通过使用铜镍锡金属化堆叠体和扩散焊接安装到引线框架的二极管层堆叠体倒装芯片
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