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申请/专利权人：深度科学有限责任公司
摘要：超导体器件包括低维材料，该低维材料的临界温度高于对应于该低维材料的块体形式的临界温度。该低维材料可包括该低维材料的形状和结构的变体。该超导体器件可包括诸如纳米带、纳米管或螺旋结构的低维材料的各种构造排列。该超导体器件可包括连接到低维材料的诸如氢的官能团。该超导体器件可包括位于低维材料附近的金属簇。该超导体器件可包括单层、双层或多层的低维材料。
主权项：1.一种超导体器件，包含：低维材料的第一单层；低维材料的第二单层；和多个离子或分子，其位于第一单层和第二单层之间，该低维材料为低维超导材料，所述低维超导材料为具有至少一个被限制为小于超导体的相干长度的维度的超导体，其中所述低维材料用掺杂剂物质化学官能化，所述掺杂剂物质包括固定于所述低维材料的第一结合部分和可移除地连接到所述第一结合部分的第一自由部分，其中选择官能团，使得超导体器件具有的临界温度高于低维材料的块体形式的临界温度，其中所述低维材料是临界温度高于100K的超导体，其中所述低维材料包括包含单层原子的晶态材料。
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百度查询： 深度科学有限责任公司 高温超导结构体
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