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申请/专利权人：郑州轻工业大学
摘要：本发明属于光电子硅基集成电路技术领域，涉及带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器，包括由下至上依次设置的：衬底层、赝衬底层、驰豫层、有源区；驰豫层为n+型GeSn驰豫层，有源区由下至上依次为n+型GeSn层、本征GeSn层和p+型GeSn层；有源区为空心圆柱，有源区周围包裹一层应变薄膜；在p+型GeSn层上设置第一金属电极，在驰豫层顶端、有源区外侧设置第二金属电极。发光器制备过程中应变薄膜内残余应力释放，向有源区引入张应变，有源区张应变的引入使导带Γ能谷比L能谷更加剧烈下降，促进GeSn合金向直接带隙材料转变，器件发光波长向中红外2～5μm拓展，并有效提高GeSn发光效率。
主权项：1.带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器，其特征在于，包括由下至上依次设置的：衬底层、赝衬底层、驰豫层、有源区；所述驰豫层为n+型GeSn驰豫层，所述有源区由下至上依次为n+型GeSn层、本征GeSn层和p+型GeSn层；有源区为空心圆柱，有源区周围包裹一层应变薄膜，所述应变薄膜为具有残余压应变的Si3N4薄膜；在p+型GeSn层上还设置有第一金属电极，在驰豫层顶端还设置有第二金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 郑州轻工业大学 带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器
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