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申请/专利权人：中国人民武装警察部队工程大学
摘要：本发明涉及一种异质GeSn基硅基深槽保护PiN二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂形成顶层GeSn区；刻蚀衬底顶层GeSn区形成有源区深槽；有源区深槽四周平坦化处理并利用原位掺杂形成P区和N区；以及在所述衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述异质GeSn基硅基深槽保护PiN二极管的制备；本发明通过引入深槽隔离工艺和Si‑GeSn‑Si异质结构，极大的提升了二极管的低功耗性能，使得PiN二极管的功耗可降低一个数量级。
主权项：1.一种异质GeSn基深槽保护PiN二极管的制备方法，其特征在于，所述PiN二极管用于制作高集成可重构天线，所述PiN二极管的制备方法包括以下步骤：a选取GeOI衬底，并在GeOI衬底内掺杂Sn，形成顶层GeSn区；GeOI衬底101的掺杂类型为n型或p型，掺杂浓度为0.5×1014～1×1015cm-3，顶层Ge的厚度为30～120μm；所述步骤a具体包括以下步骤：a1光刻所述GeOI衬底；a2对所述GeOI衬底进行Sn组分掺杂，形成顶层GeSn区，通过动态的控制顶层Ge中Sn组分的含量，以实现载流子最大注入比；GeSn区中的Sn组分为1%-30%；a3去除光刻胶；b刻蚀顶层GeSn区形成有源区深槽；c将有源区深槽的四周侧壁平坦化处理，并利用原位掺杂淀积p型硅形成P区，利用原位掺杂淀积n型硅形成N区；d在衬底上形成GeSn合金引线，以完成所述异质GeSn基深槽保护PiN二极管的制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民武装警察部队工程大学 一种异质GeSn基深槽保护PiN二极管及其制备方法
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