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申请/专利权人：西南科技大学
摘要：本发明公开了一种本征能隙为2THz的拓扑层状结构材料及其制备方法；属于光电子学领域。本发明拓扑层状结构材料为2THz实现本征能隙跃迁的KNbO2材料，属于R‑3m空间群，由K+原子层和NbO2‑原子层交替堆叠构成，沿着Z轴方向具有三重对称性，制得晶体沿[661]晶带轴取向排列的织构。本发明采用水热反应—过饱和析出—溶液抽滤成型—退火烧结四步法制备KNbO2织构薄膜或块体材料。本发明方法原料及制备成本低廉、工艺过程简单且可操控性强，具有很强的工业应用潜力。本发明可应用于THz屏蔽吸波和基于带间跃迁的光电探测器及全固态THz辐射源材料。
主权项：1.一种本征能隙为2THz的拓扑层状结构材料，其特征在于，所述拓扑层状结构材料为2THz实现本征能隙跃迁的KNbO2材料，属于R-3m空间群，由K+原子层和NbO2-原子层交替堆叠构成，沿着Z轴方向具有三重对称性，制得晶体沿[661]晶带轴取向排列的织构。
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百度查询： 西南科技大学 一种本征能隙为2THz的拓扑层状结构材料及其制备方法
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