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Cs2SnI6薄膜的制备方法以及光电器件 

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申请/专利权人:松山湖材料实验室

摘要:本申请涉及光电领域,具体而言,涉及一种Cs2SnI6薄膜的制备方法以及光电器件。本申请提供一种Cs2SnI6薄膜的制备方法,包括:向CsI与SnI4的混合液中加入硫脲,得到Cs2SnI6前驱液;将Cs2SnI6前驱液旋涂于衬底上,得到前驱膜;将前驱膜退火。采用本申请的制备方法,能够极大地降低Cs2SnI6薄膜中的CsI等杂质,增加Cs2SnI6晶体的含量,减少晶面取向。并且有望获得单一取向的Cs2SnI6薄膜,从而能够降低晶界增加的可能性,有望提高Cs2SnI6薄膜的光电性能,将其应用于光电器件领域,有望提高光电器件的光电性能。

主权项:1.一种Cs2SnI6薄膜的制备方法,其特征在于,包括:向CsI与SnI4的混合液中加入硫脲,得到Cs2SnI6前驱液;将所述Cs2SnI6前驱液旋涂于衬底上,得到前驱膜;将所述前驱膜退火。

全文数据:

权利要求:

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