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申请/专利权人:三星电子株式会社;三星SDI株式会社
摘要:公开组合物、薄膜、以及包括组合物和薄膜的有机发光器件。所述组合物包括给体化合物和受体化合物,其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物。所述激基复合物满足如说明书中所描述的特定的条件。
主权项:1.组合物,其包括:给体化合物和受体化合物,其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物,所述激基复合物的光致发光光谱中的最大发射波长为390纳米nm或更大且490nm或更小,所述激基复合物的时间分辨光致发光光谱中的延迟荧光的衰减时间为100纳秒ns或更大,所述激基复合物的时间分辨光致发光光谱中的延迟荧光部分对全部发光部分的比率为10%或更大,所述激基复合物的光致发光稳定性为59%或更大,所述激基复合物的光致发光光谱和时间分辨光致发光光谱各自是对于通过在基底上共沉积所述给体化合物和所述受体化合物而形成的膜在室温下测量的,和所述激基复合物的光致发光稳定性是根据方程10评价的:方程10光致发光稳定性%=I2I1×100其中,在方程10中,I1是在膜1的光致发光光谱中的最大发射波长处的光的任意单位的强度,膜1的光致发光光谱是在通过在基底上共沉积所述给体化合物和所述受体化合物而形成膜之后立即获得的,是在室温下在其中切断外部空气的惰性气氛中测量的,和I2是在膜2的光致发光光谱中的最大发射波长处的光的任意单位的强度,膜2的光致发光光谱是在将膜1在其中切断外部空气的惰性气氛中暴露于在I1的评价中使用的泵浦激光3小时之后获得的,是在室温下在其中切断外部空气的惰性气氛中测量的,其中i所述给体化合物选自由式D-1表示的化合物;或ii所述给体化合物选自由式D-11、D-12、D-119至D-121、和D-123至D-126表示的化合物:式D-1Ar1-L1a1-Ar2 其中,在式D-1中,Ar1为由式11-8表示的基团,且Ar2选自苯基和萘基,L1选自单键,和a1为1,其中,在式D-11、D-12、D-119至D-121、和D-123至D-126中,Ar1选自由式11-7表示的基团,Ar2选自由式11-7表示的基团,和Z51-Z54各自独立地选自氢、氘、C1-C10烷基、和C1-C10烷氧基, 其中,在式11-7中,A1选自单键、和C1-C4亚烷基;和被选自如下的至少一个取代的C1-C4亚烷基:氘、C1-C10烷基、和C1-C10烷氧基,R11-R14和R21-R24独立地选自氢、氘、C1-C20烷基、和C1-C20烷氧基;和各自被氘取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基,在式11-8中,A1为单键,R11-R16和R21-R24独立地选自氢、氘、C1-C20烷基、和C1-C20烷氧基;和各自被氘取代的C1-C20烷基和C1-C20烷氧基,X11和X13独立地为NR19,其中R19为苯基或者被选自氘、C1-C20烷基、和C1-C20烷氧基的至少一个取代的苯基,和所述受体化合物选自由式A-1表示的化合物:式A-1Ar11-L11a11-Ar12其中所述受体化合物选自化合物i其中式A-1中的Ar11和Ar12各自独立地选自由式17-1至17-3表示的基团,并且Ar11和Ar12的至少一个选自由式17-2和17-3表示的基团,其中式A-1中的L11选自由式3-15和3-28表示的基团,和其中a11为大于0且小于或等于2的整数, 其中,在式17-1至17-3、3-15和3-28中,R30和R40各自独立地选自氢、氘、C1-C10烷基、和C1-C10烷氧基,Z1选自氢、氘、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、和被氰基取代的苯基,和d4为选自0-4的整数,或者所述受体化合物选自化合物ii其中式A-1中的Ar11和Ar12各自独立地选自由式17-1表示的基团,其中在式17-1中,R30和R40各自独立地选自氢、氘、C1-C10烷基、和C1-C10烷氧基,和其中式A-1中的L11为被氰基取代的亚苯基,且a11为2;或者式A-1中的L11为被如下取代的亚苯基:被氰基取代的苯基,且a11为大于0且小于2的整数,其中在式11-7和11-8以及式17-1至17-3、3-15和3-28中,*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。
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