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申请/专利权人：常州星海电子股份有限公司
摘要：本发明涉及软快恢复二极管芯片技术领域，尤其涉及一种软快恢复FRD二极管芯片制备方法，包括扩散制程和GPP制程，其特征在于，所述扩散制程包括以下步骤：步骤一、扩散前处理；步骤二、磷扩处理：对步骤一处理后硅片的N面进行扩散处理，先采用低浓度磷纸进行一次扩散，然后采用正常浓度磷纸进行二次扩散；步骤三、一次吹砂；步骤四、硼扩处理；步骤五、二次吹砂：完成扩散制程，该硅片制成的芯片在正向电压不显著增加的情况下，可获得更高的反向击穿电压，通过采用双基区扩散工艺，新增的基区N比原基区N‑的杂质浓度高，在施加反向偏压时，将载流子抽走的时间加长，即tb值变大，将软度因子S值提高到0.65左右，有效改善二极管的软度。
主权项：1.一种软快恢复FRD二极管芯片制备方法，包括扩散制程和GPP制程，其特征在于，所述扩散制程包括以下步骤：步骤一、扩散前处理：对硅片原料先进行机械抛光处理，得到抛光基片，然后通过硅片清洗液对抛光基片表面进行清洗处理；步骤二、磷扩处理：对步骤一处理后硅片的N面进行扩散处理，先采用低浓度磷纸进行一次扩散，然后采用正常浓度磷纸进行二次扩散；步骤三、一次吹砂：将磷扩处理过的硅片以40-50cmmin的传动速度速进入真空吹砂室中，将P面朝上，以0.9-1.0Kgcm2的压力进行喷砂；步骤四、硼扩处理：对硅片的P面进行硼面扩散；步骤五、二次吹砂：将硼扩处理过的硅片以40-50cmmin的传动速度速进入真空吹砂室中，双面吹扫，以0.9-1.0Kgcm2的压力进行喷砂，完成扩散制程。
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百度查询： 常州星海电子股份有限公司 一种软快恢复FRD二极管芯片制备方法
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