申请/专利权人:华东交通大学
申请日:2023-12-12
公开(公告)日:2024-03-08
公开(公告)号:CN117673215A
主分类号:H01L33/00
分类号:H01L33/00;H01L33/26;H01L31/032
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开
摘要:本发明提供了一种发光、光伏两用的二维范德瓦尔斯异质结结构,异质结结构自上而下包括()α‑In2Se3单层原胞与()GaS单层原胞,异质结结构按其铁电极化方向分为P↑态与P↓态,()α‑In2Se3单层原胞的中间Se原子层靠近上侧时,异质结结构为P↑态,()α‑In2Se3单层原胞的中间Se原子层靠近下侧时,异质结结构为P↓态,本发明的异质结结构有两种可通过施加外加电场转换的极化态P↑态和P↓态,分别为可用于发光器件的Ⅰ型异质结和可用于光伏器件的Ⅱ型异质结,实现了一种异质结多种用途,大大拓展了异质结的应用领域和使用范围。
主权项:1.一种发光、光伏两用的二维范德瓦尔斯异质结结构,其特征在于,所述异质结结构自上而下包括()α-In2Se3单层原胞与()GaS单层原胞,所述异质结结构按其铁电极化方向分为P↑态与P↓态,所述()α-In2Se3单层原胞的中间Se原子层靠近上侧时,所述异质结结构为P↑态,所述()α-In2Se3单层原胞的中间Se原子层靠近下侧时,所述异质结结构为P↓态,所述异质结结构的晶格失配率小于2%。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 华东交通大学 一种发光、光伏两用的二维范德瓦尔斯异质结结构
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