龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：哈尔滨理工大学
摘要：一种氮掺杂的单晶无定形HVO异质结构的制备方法和应用，它属于储能器件领域。本发明通过室温氨气等离子体辅助，设计并制备了一种氮掺杂单晶无定形H3.78V6O13异质结构N‑HVO，并将其用作超级电容器正极材料。方法：一、制备H3.78V6O13纳米片阵列；二、通过射频等离子体增强化学气相沉积制备N‑HVO纳米片阵列。本发明基于氮掺杂与异质结构的协同作用，制备的氮掺杂单晶无定形H3.78V6O13异质结构N‑HVO在1Ag‑1的电流密度下，释放了246.3Fg‑1的比容量，同时，循环20000次后，仍具有94.5％的高容量保持率。本发明可获得一种氮掺杂的单晶无定形HVO异质结构。
主权项：1.一种氮掺杂的单晶无定形HVO异质结构的制备方法，其特征在于所述制备方法具体是按以下步骤完成的：一、制备H3.78V6O13纳米片阵列：①、将钛箔进行裁剪，再依次使用稀盐酸、无水乙醇超声清洗，最后烘干，得到预处理后的钛箔；②、将二水合草酸溶解在去离子水中，搅拌一段时间，得到无色溶液；将偏钒酸铵加入到上述无色溶液中，继续搅拌一段时间，得到黄色澄清溶液；③、将黄色澄清溶液转移到聚四氟乙烯内胆中，再将预处理后的钛箔倾斜放入黄色澄清溶液中，将不锈钢反应釜外壳进行封装，再将封装好的反应釜在170℃～190℃下进行水热反应，待反应完成后，将钛箔取出清洗，钛箔表面生长了一层黑色产物，再使用稀盐酸将钛箔其中一面的黑色产物清洗掉，最后无水乙醇清洗、烘干，得到一面生长有HVO纳米片阵列的钛箔；二、通过射频等离子体增强化学气相沉积制备N-HVO纳米片阵列：将一面生长有H3.78V6O13纳米片阵列的钛箔放置在PECVD设备的石英管中，且使生长有H3.78V6O13纳米片阵列的一侧面向等离子体发生器，再密封石英管并多次抽真空以排除管内空气，向石英管中通入NH3，通过控制进气口和出气口的大小，使石英管内真空度维持在10Pa～15Pa，在射频功率为230W～250W下进行等离子体处理，等离子体处理结束，得到氮掺杂的单晶无定形HVO异质结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨理工大学 一种氮掺杂的单晶/无定形HVO异质结构的制备方法和应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号